Фотонні властивості пристроїв на основі багатокомпонентних кристалічних сполук із вмістом (Si, Ge, Sn)
DOI:
https://doi.org/10.15330/pcss.22.3.470-476Ключові слова:
кристал, молярний вміст, прямі та непрямі переходи, енергетична щілина, коефіцієнт поглинання, фоточутливістьАнотація
У роботі представлені результати оптичних і фотоелектричних вимірювань та їх аналіз для кристалічних сполук Tl1-xIn1-xDIVxSe2 (DIV – Si, Ge, Sn) у діапазоні довжин хвиль 0,41,4 мкм при температурі Т = 300 К. Робота переслідує мету дослідити вплив молярного вмісту DIVSe2 на механізми міжзонних переходів та основні фотонні параметри кристалів твердих розчинів ТlInSe2–DIVSe2. Встановлено, що зміна фізичних властивостей від молярного вмісту компонент x, пов’язаних з перебудовою зонної структури, значно розширює функціональні можливості кристалічних сполук Tl1-xIn1-x(Si, Ge, Sn)xSe2 (x0,25), як перспективних матеріалів оптоелектронних пристроїв.
Посилання
I.V. Alekseev, Izv. AN USSR. Inorg. Mater. 28, 2404 (1992).
E. Kerimova, S. Mustafaeva, D. Guseinova, et al., Phys. Status Solidi A, 179(1), 199 (2000); https://doi.org/10.1002/1521-396X(200005)179:1<199::AID-PSSA199>3.0.CO;2-W.
A.E. Bakhyshov, M.F. Agaeva, A.M. Darvish, Phys. Status Solidi B 91(1), K31 (1979); https://doi.org/10.1002/pssb.2220910152.
M. Hanias, A.N. Anagnostopoulos, K. Kambas, J. Spyridelis. Physica B 160(2), 154 (1989); https://doi.org/10.1016/0921-4526(89)90050-1.
H.Y. Fan, Rep. Progr. Phys. 19(1), 107 (1956); https://doi.org/10.1088/0034-4885/19/1/304.
O. Yildirim, Energy bands of TlSe and TlInSe2 in tight binding model. 2005. PhD Thesis. Middle East Technical University.
G. Orudzhev, N. Mamedov, H. Uchiki, et al., J. Phys. Chem. Solids 64(9-10), 1703 (2003); https://doi.org/10.1016/S0022-3697(03)00073-8.
I. Nuritdinov, S.K. Umarov, V.D. Rustamov, J. Perspektivnye materialy (1), 46 (2003); http://j-pm.imet-db.ru/?archive&a=174#.
M.Yu. Mozolyuk, L.V. Piskach, A.O. Fedorchuk, et al., J. Alloys Compd. 509(6), 2693 (2011); https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2010.11.112.
G.L. Myronchuk, O.V. Zamurueva, O.V. Parasyuk, et al., J. Mater. Sci.: Mater. Electron 25(7), 3226 (2014); https://doi.org/10.1007/s10854-014-2007-y.
O.V. Zamurueva, G.L. Myronchuk, G. Lakshminarayana, et al., Optical Mater. 37, 614 (2014); https://doi.org/10.1016/j.optmat.2014.08.004.
G.L. Myronchuk, G.E. Davydyuk, O.V. Parasyuk, et al., J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 24(9), 3555 (2013); DOI:10.1007/s10854-013-1285-0.
J.I. Pankove, Оptical Processes in Semiconductors (Мir, Moscow, 1973).
G.E. Davydyuk, O.Y. Khyzhun , A.H. Reshak, et al., Phys. Chem. Chem. Phys. 15, 6965 (2013); https://doi.org/10.1039/C3CP50836F.
G.E. Davydyuk, M. Piasecki , O.V. Parasyuk, et al., Opt. Mater. 35(12), 2514 (2013); https://doi.org/10.1016/j.optmat.2013.07.012.
J. Tauc, R. Grigorovici, A. Vancu, Phys. Status Solidi B 15(2), 627 (1966); https://doi.org/10.1002/pssb.19660150224.
M. Piasecki, G.L. Myronchuk, O.V. Zamurueva, et al., Huge Operation by Energy Gap of Novel Narrow Band Gap Tl1-xIn1-xBxSe2 (B=Si, Ge): DFT, X-ray Emission and Photoconductivity Studies. Mater. Res. Express, 3(2), 025902 (2016); https://doi.org/10.1088/2053-1591/3/2/025902.
W.O. Groves, A.H. Herzog, M.G. Craford, Appl. Phys. Lett. 19(6), 184 (1971); https://doi.org/10.1063/1.1653876.
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
